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RUM003N02T2L

Part Number :
RUM003N02T2L
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-
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Stock :
10000 
Unit price :
1 - 10 :  ¥ 2.84
11 - 100 :  ¥ 2.78
101 - 1000 :  ¥ 2.73
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FET 功能 逻辑电平栅极,1.8V 驱动
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 25pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 300mA,4V
供应商器件封装 VMT3
功率 - 最大值 150mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-723
工作温度 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta)
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